Влияние внутренней обратной связи на параметры и качественные показатели каскадов. Приступая к изучению шумовых свойств каскадов резонансных усилителей на биполярных и полевых транзисторах, мы сталкиваемся с общей трудностью проведения достаточно строгого, и в то же время практически полезного для инженера анализа усилительных схем.
Трудность обусловлена наличием в транзисторных усилителях сравнительно сильной внутренней обратной связи через проводимость. Эта обратная связь приводит к изменению параметров транзисторов, что в свою очередь вызывает изменение и нестабильность качественных показателей усилителей. Если радиодетали пришли в негодность, вот адрес скупки радиодеталей, куда вы выгодно можете их утилизировать.
При определенных условиях внутренняя обратная связь может привести к неустойчивой работе и даже к самовозбуждению каскадов. Кроме того, наличие внутренней обратной связи влияет на шумовые характеристики транзисторов и каскадов в целом. При анализе источников шумов и построении эквивалентных шумовых схем транзисторов ранее предполагалось, что внутренняя обратная связь отсутствует или пренебрежимо мала.
Это предположение, естественно, не всегда справедливо. В связи с этим целесообразно рассмотреть некоторые вопросы общей теории усилительных схем на транзисторах и вывести приближенное соотношение, согласно которому при расчете основных качественных показателей резонансных усилителей (в том числе качественных показателей, связанных с их собственными шумами) внутреннюю обратную связь можно считать отсутствующей (т. е. полагать 0).
Характерная особенность внутренней обратной связи состоит в том, что она охватывает практически только один каскад. Это позволяет при рассмотрении влияния внутренней обратной связи на параметры и качественные показатели усилителя ограничивайся рассмотрением одного каскада.
